패시브/액티브 프로브

웨비나 보는데 첨보는 단어가 나와서 검색...

액티브는 능동 소자가 들어가는 만큼 전압범위가 좁지만

캐패시턴스가 적어서 더 정밀하게 측정이 가능하다 이런 내용

(기가 단위까지 측정, 하지만 정전기나 전기 범위에 민감함)

패시브 전압 프로브 패시브 프로브는 와이어와 커넥터, 그리고 보상 또는 감쇠가 필요할 경우 저항과 커패시터로 구성됩니다. 트랜지스터 또는 증폭기와 같은 능동 컴포넌트가 없으므로 프로브에 전원을 공급할 필요가 없습니다. 액티브 전압 프로브 액티브 프로브는 트랜지스터 등과 같은 능동 컴포넌트를 포함하거나 이에 의존하여 작동합니다. 대부분의 경우 능동 장치로는 FET(Field-Effect Transistor: 전계 효과 트랜지스터)가 사용됩니다. 디퍼런셜 프로브 디퍼런셜 신호는 대지 접지가 아니라 서로를 기준으로 삼는 신호를 의미합니다. 그림 2.3에 이러한 신호의 몇 가지 예가 나와 있습니다. 여기에는 컬렉터 부하 저항 사이에서 발생되는 신호, 디스크 드라이브 읽기 채널 신호, 다중 위상 전력 시스템, 기타 신호가 본질적으로 접지 위에서 "플로팅"하는 다수의 상황이 포함됩니다 고전압 프로브 "고전압"이란 용어는 상대적입니다. 반도체 업계에서 고전압으로 간주되는 전압이 전력 업계에서는 사실상 아무 것도 아닐 수 있습니다. 여하튼 프로브와 관련해서는 고전압을 일반적인 범용 10X 패시브 프로브로 안전하게 처리할 수 있는 전압을 초과하는 전압이라고 정의할 수 있습니다.

[링크 : http://www.sambow.com/files/60K-6053-12_2012.11.14.19.33.08_2329_KO.pdf]